
SISH615ADN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH615ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,4mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 183 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5590 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.70000 | Fr. 0.70 |
10 | Fr. 0.47500 | Fr. 4.75 |
100 | Fr. 0.30940 | Fr. 30.94 |
500 | Fr. 0.23796 | Fr. 118.98 |
1’000 | Fr. 0.21493 | Fr. 214.93 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.15783 | Fr. 473.49 |
6’000 | Fr. 0.15000 | Fr. 900.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.70000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.75670 |