Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.99452 CHF
Availability: InStock

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SISH615ADN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISH615ADN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 183 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5590 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22,1A (Ta), 35A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SH
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base SISH615
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 20A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.99452

SISH615ADN-T1-GE3