
SISHA14DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISHA14DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISHA14DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISHA14DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISHA14DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 19,7A (Ta), 20A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1450 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,1mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
| 10 | Fr. 0.60700 | Fr. 6.07 |
| 100 | Fr. 0.39880 | Fr. 39.88 |
| 500 | Fr. 0.30926 | Fr. 154.63 |
| 1’000 | Fr. 0.28043 | Fr. 280.43 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.24381 | Fr. 731.43 |
| 6’000 | Fr. 0.22537 | Fr. 1’352.22 |
| 9’000 | Fr. 0.21598 | Fr. 1’943.82 |
| 15’000 | Fr. 0.20543 | Fr. 3’081.45 |
| 21’000 | Fr. 0.19918 | Fr. 4’182.78 |
| 30’000 | Fr. 0.19311 | Fr. 5’793.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |










