
SISHA14DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISHA14DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISHA14DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISHA14DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISHA14DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 19,7A (Ta), 20A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,1mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1450 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.78000 | Fr. 0.78 |
| 10 | Fr. 0.50100 | Fr. 5.01 |
| 100 | Fr. 0.32820 | Fr. 32.82 |
| 500 | Fr. 0.25300 | Fr. 126.50 |
| 1’000 | Fr. 0.22877 | Fr. 228.77 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.20619 | Fr. 618.57 |
| 6’000 | Fr. 0.18424 | Fr. 1’105.44 |
| 9’000 | Fr. 0.16483 | Fr. 1’483.47 |
| 15’000 | Fr. 0.16200 | Fr. 2’430.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.78000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.84318 |


