
SISS05DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS05DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS05DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS05DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS05DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 29,4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS05DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 115 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 65,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.39000 | Fr. 1.39 |
10 | Fr. 0.91400 | Fr. 9.14 |
100 | Fr. 0.61390 | Fr. 61.39 |
500 | Fr. 0.48522 | Fr. 242.61 |
1’000 | Fr. 0.44382 | Fr. 443.82 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.39824 | Fr. 1’194.72 |
6’000 | Fr. 0.36482 | Fr. 2’188.92 |
9’000 | Fr. 0.36250 | Fr. 3’262.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.39000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.50259 |