SISS5808DN-T1-GE3
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SISS10DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISS10DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISS10DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISS10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SISS10DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 60 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,65mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3750 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
57W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8S
Codice componente base
SISS10
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In magazzino: 6’297
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.23000Fr. 1.23
10Fr. 0.78000Fr. 7.80
100Fr. 0.51940Fr. 51.94
500Fr. 0.40780Fr. 203.90
1’000Fr. 0.37186Fr. 371.86
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.32623Fr. 978.69
6’000Fr. 0.30326Fr. 1’819.56
9’000Fr. 0.29300Fr. 2’637.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.23000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.32963