
SISS22LDN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISS22LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS22LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS22LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS22LDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 25,5A (Ta), 92,5A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS22LDN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,65mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 56 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2540 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 65,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.16000 | Fr. 1.16 |
10 | Fr. 0.80600 | Fr. 8.06 |
100 | Fr. 0.59450 | Fr. 59.45 |
500 | Fr. 0.46926 | Fr. 234.63 |
1’000 | Fr. 0.42897 | Fr. 428.97 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.37782 | Fr. 1’133.46 |
6’000 | Fr. 0.35209 | Fr. 2’112.54 |
9’000 | Fr. 0.34800 | Fr. 3’132.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.16000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.25396 |