
SISS26DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS26DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS26DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS26DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 60 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,5mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 37 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1710 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.59000 | Fr. 1.59 |
| 10 | Fr. 1.13900 | Fr. 11.39 |
| 100 | Fr. 0.77420 | Fr. 77.42 |
| 500 | Fr. 0.61776 | Fr. 308.88 |
| 1’000 | Fr. 0.59486 | Fr. 594.86 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.48600 | Fr. 1’458.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.71879 |

