SISS5808DN-T1-GE3
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SISS26DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISS26DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISS26DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISS26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SISS26DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 60 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1710 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
57W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 7’647
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.59000Fr. 1.59
10Fr. 1.13900Fr. 11.39
100Fr. 0.77420Fr. 77.42
500Fr. 0.61776Fr. 308.88
1’000Fr. 0.59486Fr. 594.86
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.48600Fr. 1’458.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.71879