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SISS32DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS32DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS32DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS32DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS32DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1930 pF @ 40 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 65,7W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,2mohm a 10A, 10V |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.72000 | Fr. 1.72 |
| 10 | Fr. 1.09900 | Fr. 10.99 |
| 100 | Fr. 0.74360 | Fr. 74.36 |
| 500 | Fr. 0.59132 | Fr. 295.66 |
| 1’000 | Fr. 0.54236 | Fr. 542.36 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.48024 | Fr. 1’440.72 |
| 6’000 | Fr. 0.44898 | Fr. 2’693.88 |
| 9’000 | Fr. 0.43306 | Fr. 3’897.54 |
| 15’000 | Fr. 0.42709 | Fr. 6’406.35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.85932 |
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