


SISS52DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS52DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS52DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 65 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2950 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.05000 | Fr. 1.05 |
| 10 | Fr. 0.73000 | Fr. 7.30 |
| 100 | Fr. 0.53740 | Fr. 53.74 |
| 500 | Fr. 0.42246 | Fr. 211.23 |
| 1’000 | Fr. 0.38548 | Fr. 385.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33852 | Fr. 1’015.56 |
| 6’000 | Fr. 0.31488 | Fr. 1’889.28 |
| 9’000 | Fr. 0.30600 | Fr. 2’754.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.13505 |




