SISS5808DN-T1-GE3
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SISS5623DN-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SISS5623DN-T1-GE3
Descrizione
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SISS5623DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1575 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 9’693
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.98000Fr. 1.98
10Fr. 1.27800Fr. 12.78
100Fr. 0.87350Fr. 87.35
500Fr. 0.70054Fr. 350.27
1’000Fr. 0.69218Fr. 692.18
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.56550Fr. 1’696.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.98000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.14038