
SISS5623DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS5623DN-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS5623DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 33 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1575 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.98000 | Fr. 1.98 |
| 10 | Fr. 1.27800 | Fr. 12.78 |
| 100 | Fr. 0.87350 | Fr. 87.35 |
| 500 | Fr. 0.70054 | Fr. 350.27 |
| 1’000 | Fr. 0.69218 | Fr. 692.18 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.56550 | Fr. 1’696.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.14038 |


