
SISS61DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS61DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS61DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,5mohm a 15A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 231 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 8740 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.14000 | Fr. 1.14 |
| 10 | Fr. 0.76600 | Fr. 7.66 |
| 100 | Fr. 0.51040 | Fr. 51.04 |
| 500 | Fr. 0.40042 | Fr. 200.21 |
| 1’000 | Fr. 0.36502 | Fr. 365.02 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32006 | Fr. 960.18 |
| 6’000 | Fr. 0.29744 | Fr. 1’784.64 |
| 9’000 | Fr. 0.29032 | Fr. 2’612.88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.23234 |











