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SISS61DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS61DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS61DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 231 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8740 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 15A, 4,5V |
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In magazzino: 13’472
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.42000 | Fr. 1.42 |
| 10 | Fr. 0.89800 | Fr. 8.98 |
| 100 | Fr. 0.60130 | Fr. 60.13 |
| 500 | Fr. 0.47406 | Fr. 237.03 |
| 1’000 | Fr. 0.43312 | Fr. 433.12 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.38114 | Fr. 1’143.42 |
| 6’000 | Fr. 0.35499 | Fr. 2’129.94 |
| 9’000 | Fr. 0.34167 | Fr. 3’075.03 |
| 15’000 | Fr. 0.32671 | Fr. 4’900.65 |
| 21’000 | Fr. 0.32630 | Fr. 6’852.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.42000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.53502 |
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