Name: SISS73DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS73DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.84851 CHF
Availability: InStock

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SISS73DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISS73DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS73DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS73DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS73DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 4,4A (Ta), 16,2A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISS73DN-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 719 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,4A (Ta), 16,2A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SISS73
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 10A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.84851

SISS73DN-T1-GE3