
SIUD412ED-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIUD412ED-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® 0806 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIUD412ED-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,2V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 340mohm a 500mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 0.71 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 21 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,25W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 0806 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.19000 | Fr. 0.19 |
| 10 | Fr. 0.11900 | Fr. 1.19 |
| 100 | Fr. 0.07420 | Fr. 7.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.06944 | Fr. 208.32 |
| 6’000 | Fr. 0.06283 | Fr. 376.98 |
| 9’000 | Fr. 0.04814 | Fr. 433.26 |
| 15’000 | Fr. 0.04647 | Fr. 697.05 |
| 21’000 | Fr. 0.04490 | Fr. 942.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.19000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.20539 |




