
SIZ250DT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ250DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ250DT-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 14A (Ta), 38A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12,2mohm a 10A, 10V, 12,7mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 840pF a 30V, 790pF a 30V | |
Potenza - Max | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.40000 | Fr. 1.40 |
| 10 | Fr. 0.88600 | Fr. 8.86 |
| 100 | Fr. 0.59450 | Fr. 59.45 |
| 500 | Fr. 0.46926 | Fr. 234.63 |
| 1’000 | Fr. 0.42897 | Fr. 428.97 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.37782 | Fr. 1’133.46 |
| 6’000 | Fr. 0.35209 | Fr. 2’112.54 |
| 9’000 | Fr. 0.34800 | Fr. 3’132.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.51340 |



