
SIZ340DT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIZ340DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIZ340DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIZ340DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ340DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 30 A, 40 A 16,7W, 31W A montaggio superficiale 8-Power33 (3x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ340DT-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 30 A, 40 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9,5mohm a 15,6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 19nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 760pF a 15V | |
Potenza - Max | 16,7W, 31W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-Power33 (3x3) | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.85000 | Fr. 0.85 |
10 | Fr. 0.60600 | Fr. 6.06 |
100 | Fr. 0.46100 | Fr. 46.10 |
500 | Fr. 0.37700 | Fr. 188.50 |
1’000 | Fr. 0.34329 | Fr. 343.29 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.30050 | Fr. 901.50 |
6’000 | Fr. 0.27989 | Fr. 1’679.34 |
9’000 | Fr. 0.27754 | Fr. 2’497.86 |
15’000 | Fr. 0.26600 | Fr. 3’990.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.85000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.91885 |