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Novità in DigiKey
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SIZF660LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF660LDT-T1-GE3 |
Descrizione | SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 28A (Ta), 110A (Tc) 4,2W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 6 x 5FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 10A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 85nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4315pF a 30V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 4,2W (Ta), 62,5W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro 8-WDFN piazzola esposta |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28A (Ta), 110A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAIR® 6 x 5FS |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6’000 | Fr. 1.09169 | Fr. 6’550.14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.09169 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.18012 |
