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SIZF906DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF906DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 60 A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PowerPair® (6x5) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 4,5V, 92nC a 4,5V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000pF a 15V, 8200pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 38W (Tc), 83W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TA) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Contenitore/involucro 8-PowerWDFN |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-PowerPair® (6x5) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,8mohm a 15A, 10V, 1,17mohm a 20A, 10V |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6’000 | Fr. 0.66715 | Fr. 4’002.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.66715 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.72119 |
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