
SQ2303ES-T1_GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ2303ES-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 2,5 A (Tc) 1,9W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 170mohm a 1,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 210 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,9W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.36000 | Fr. 0.36 |
10 | Fr. 0.28600 | Fr. 2.86 |
100 | Fr. 0.23520 | Fr. 23.52 |
500 | Fr. 0.19436 | Fr. 97.18 |
1’000 | Fr. 0.17495 | Fr. 174.95 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.15027 | Fr. 450.81 |
6’000 | Fr. 0.13784 | Fr. 827.04 |
9’000 | Fr. 0.12600 | Fr. 1’134.00 |
15’000 | Fr. 0.12439 | Fr. 1’865.85 |
21’000 | Fr. 0.12017 | Fr. 2’523.57 |
30’000 | Fr. 0.11620 | Fr. 3’486.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.36000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.38916 |