SQ2308FES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SQ2308FES-T1_BE3
Codice DigiKey	742-SQ2308FES-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2308FES-T1_BE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2,3 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 2,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	205 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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