SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SQ2309ES-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ2309ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ2309ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2309ES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	336mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	265 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SQ2309