
SQ2325ES-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ2325ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ2325ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ2325ES-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQ2325ES-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 250 pF @ 50 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,77ohm a 500mA, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.88000 | Fr. 0.88 |
| 10 | Fr. 0.55200 | Fr. 5.52 |
| 100 | Fr. 0.36150 | Fr. 36.15 |
| 500 | Fr. 0.27934 | Fr. 139.67 |
| 1’000 | Fr. 0.25284 | Fr. 252.84 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.21918 | Fr. 657.54 |
| 6’000 | Fr. 0.20223 | Fr. 1’213.38 |
| 9’000 | Fr. 0.19360 | Fr. 1’742.40 |
| 15’000 | Fr. 0.18390 | Fr. 2’758.50 |
| 21’000 | Fr. 0.17815 | Fr. 3’741.15 |
| 30’000 | Fr. 0.17257 | Fr. 5’177.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.88000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.95128 |










