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Novità in DigiKey
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SQ2337CES-T1_BE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQ2337CES-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SQ2337CES-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 2,2 A (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 40 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 620 pF @ 40 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 1,2A, 10V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ2337CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SQ2337CES-T1_GE3CT-ND | Fr. 0.52000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.10089 | Fr. 302.67 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.10089 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.10906 |
