Name: SQ2389CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2389CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.61617 CHF
Availability: OutOfStock

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SQ2389CES-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ2389CES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ2389CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2389CES-T1_GE3
Descrizione	P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 455 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
RDSon (max) a Id, Vgs 94mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ2389CES-T1_BE3	Vishay Siliconix	4’117	742-SQ2389CES-T1_BE3CT-ND	Fr. 0.66000	Equivalente parametrico

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* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.61617

SQ2389CES-T1_GE3