SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SQ2389ES-T1_BE3

Vishay Siliconix

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SQ2389CES-T1_GE3

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Canale P 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)

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SQ2389ES-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ2389ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ2389ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2389ES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 420 pF @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc)
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 94mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQ2389
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ2389ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	92’476	742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND	Fr. 0.88000	Diretto
SQ2389CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND	Fr. 0.57000	Consigliato dal produttore

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