Name: SQ3427CEEV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3427CEEV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.29187 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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SQ3427CEEV-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ3427CEEV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ3427CEEV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ3427CEEV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3427CEEV-T1_GE3
Descrizione	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 5,3 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	95mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Nastrato in bobina (TR)