SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SI2333DS-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI2333DS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2333DS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2333DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2333DS-T1-BE3
Descrizione	P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 4,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	32mohm a 5,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3