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Vishay Siliconix
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Prezzo unitario : Fr. 0.13703
Scheda tecnica
Canale P 30 V 7,5 A (Tc) 4W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
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SQ3481EV-T1_GE3

Codice DigiKey
SQ3481EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQ3481EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQ3481EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SQ3481EV-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 7,5 A (Tc) 4W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23.5 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
870 pF @ 15 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Dissipazione di potenza (max)
4W (Tc)
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
43mohm a 5,3A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SQ3481CEV-T1_GE3Vishay Siliconix0742-SQ3481CEV-T1_GE3TR-NDFr. 0.13703Consigliato dal produttore
Obsoleto
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