
SQ3585EV-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQ3585EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ3585EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ3585EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ3585EV-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 3,57 A (Tc), 2,5 A (Tc) 1,67W A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,57 A (Tc), 2,5 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 77mohm a 1A, 4,5V, 166mohm a 1A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2,5nC a 4,5V, 3,5nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,67W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.67000 | Fr. 2.67 |
| 10 | Fr. 2.00900 | Fr. 20.09 |
| 25 | Fr. 1.84240 | Fr. 46.06 |
| 100 | Fr. 1.65950 | Fr. 165.95 |
| 250 | Fr. 1.57236 | Fr. 393.09 |
| 500 | Fr. 1.51978 | Fr. 759.89 |
| 1’000 | Fr. 1.47650 | Fr. 1’476.50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.42306 | Fr. 4’269.18 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.88627 |






