Name: SQ3989EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3989EV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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SQ3989EV-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ3989EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ3989EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ3989EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3989EV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,5 A (Tc) 1,67W A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,1nC a 10V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 1,67W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 155mohm a 400mA, 10V	Codice componente base SQ3989

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.85399

SQ3989EV-T1_GE3