
SQJ952EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ952EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ952EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ952EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ952EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 23 A (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ952EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 23 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20mohm a 10,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1800pF a 30V | |
Potenza - Max | 25W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.61000 | Fr. 1.61 |
| 10 | Fr. 1.02600 | Fr. 10.26 |
| 100 | Fr. 0.69260 | Fr. 69.26 |
| 500 | Fr. 0.55020 | Fr. 275.10 |
| 1’000 | Fr. 0.51702 | Fr. 517.02 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.42240 | Fr. 1’267.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.61000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.74041 |

