
SQ4917CEY-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQ4917CEY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ4917CEY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ4917CEY-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQ4917CEY-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 48mohm a 4,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 65nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1910pF a 30V | |
Potenza - Max | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.48000 | Fr. 1.48 |
10 | Fr. 0.94200 | Fr. 9.42 |
100 | Fr. 0.63310 | Fr. 63.31 |
500 | Fr. 0.50108 | Fr. 250.54 |
1’000 | Fr. 0.46145 | Fr. 461.45 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.41786 | Fr. 1’044.65 |
5’000 | Fr. 0.38619 | Fr. 1’930.95 |
7’500 | Fr. 0.37700 | Fr. 2’827.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.48000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.59988 |