
SQ4920CEY-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQ4920CEY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ4920CEY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ4920CEY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ4920CEY-T1_GE3 |
Descrizione | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 8 A (Tc) 4,4W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 14,5mohm a 6A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1650pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 4,4W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C |
Configurazione 2 canale N | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc) | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.11000 | Fr. 1.11 |
| 10 | Fr. 0.70000 | Fr. 7.00 |
| 100 | Fr. 0.46300 | Fr. 46.30 |
| 500 | Fr. 0.36116 | Fr. 180.58 |
| 1’000 | Fr. 0.32839 | Fr. 328.39 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.29291 | Fr. 732.27 |
| 5’000 | Fr. 0.27098 | Fr. 1’354.90 |
| 7’500 | Fr. 0.25981 | Fr. 1’948.57 |
| 12’500 | Fr. 0.24726 | Fr. 3’090.75 |
| 17’500 | Fr. 0.23983 | Fr. 4’197.02 |
| 25’000 | Fr. 0.23351 | Fr. 5’837.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.19991 |

