
SQ4949EY-T1_BE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQ4949EY-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ4949EY-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ4949EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ4949EY-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 7,5 A (Tc) 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1020pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 3,3W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Data di acquisto finale | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,5 A (Tc) | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 5,9A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ4949CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 2’500 | 742-SQ4949CEY-T1_GE3CT-ND | Fr. 1.08000 | Consigliato dal produttore |
| SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 44’468 | SQ4949EY-T1_GE3CT-ND | Fr. 1.95000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.82000 | Fr. 1.82 |
| 10 | Fr. 1.16800 | Fr. 11.68 |
| 100 | Fr. 0.79530 | Fr. 79.53 |
| 500 | Fr. 0.63602 | Fr. 318.01 |
| 1’000 | Fr. 0.62358 | Fr. 623.58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.62358 | Fr. 1’558.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.96742 |

