SIHD5N80AE-GE3
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SQD23N06-31L_GE3

Codice DigiKey
SQD23N06-31L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQD23N06-31L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQD23N06-31L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQD23N06-31L_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 23 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
23 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
31mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
845 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
37W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SQD23
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In magazzino: 3’150
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.66000Fr. 1.66
10Fr. 1.15000Fr. 11.50
100Fr. 0.83520Fr. 83.52
500Fr. 0.66856Fr. 334.28
1’000Fr. 0.65435Fr. 654.35
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.53460Fr. 1’069.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.66000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.79446