
SQD50P08-25L_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQD50P08-25L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD50P08-25L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQD50P08-25L_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQD50P08-25L_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 50 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQD50P08-25L_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 25mohm a 10,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 137 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5350 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.57000 | Fr. 2.57 |
| 10 | Fr. 1.80800 | Fr. 18.08 |
| 100 | Fr. 1.25970 | Fr. 125.97 |
| 500 | Fr. 1.09060 | Fr. 545.30 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.89100 | Fr. 1’782.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.77817 |











