
SQD70140EL_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQD70140EL_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD70140EL_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQD70140EL_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 30 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQD70140EL_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 15mohm a 30A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2100 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.82000 | Fr. 0.82 |
10 | Fr. 0.63100 | Fr. 6.31 |
100 | Fr. 0.51980 | Fr. 51.98 |
500 | Fr. 0.47124 | Fr. 235.62 |
1’000 | Fr. 0.43082 | Fr. 430.82 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 0.38271 | Fr. 765.42 |
4’000 | Fr. 0.36067 | Fr. 1’442.68 |
6’000 | Fr. 0.35367 | Fr. 2’122.02 |
10’000 | Fr. 0.34980 | Fr. 3’498.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.82000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.88642 |