
SQJ158EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ158EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ158EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ158EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ158EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 23 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ158EP-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 7A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.92000 | Fr. 0.92 |
| 10 | Fr. 0.57700 | Fr. 5.77 |
| 100 | Fr. 0.37840 | Fr. 37.84 |
| 500 | Fr. 0.29286 | Fr. 146.43 |
| 1’000 | Fr. 0.26530 | Fr. 265.30 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.23029 | Fr. 690.87 |
| 6’000 | Fr. 0.21267 | Fr. 1’276.02 |
| 9’000 | Fr. 0.20369 | Fr. 1’833.21 |
| 15’000 | Fr. 0.19360 | Fr. 2’904.00 |
| 21’000 | Fr. 0.18763 | Fr. 3’940.23 |
| 30’000 | Fr. 0.18183 | Fr. 5’454.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.92000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.99452 |





