Name: SQJ200EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ200EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.57826 CHF
Availability: InStock

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SQJ200EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ200EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 20A, 60A 27W, 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ200EP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 975pF a 10V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 27W, 48W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A, 60A	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 16A, 10V	Codice componente base SQJ200
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.57826

SQJ200EP-T1_GE3