PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric
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SQJ200EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJ200EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 20A, 60A 27W, 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ200EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A, 60A
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
975pF a 10V
Potenza - Max
27W, 48W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
Codice componente base
SQJ200
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In magazzino: 8’775
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.40000Fr. 1.40
10Fr. 0.88700Fr. 8.87
100Fr. 0.59510Fr. 59.51
500Fr. 0.46980Fr. 234.90
1’000Fr. 0.42949Fr. 429.49
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.37829Fr. 1’134.87
6’000Fr. 0.35253Fr. 2’115.18
9’000Fr. 0.34850Fr. 3’136.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.40000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.51340