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SQJ211ELP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ211ELP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ211ELP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs (max) ±20V |
Produttore | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 8A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA | Codice componente base |
Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V |
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In magazzino: 23’666
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.78000 | Fr. 1.78 |
| 10 | Fr. 1.13900 | Fr. 11.39 |
| 100 | Fr. 0.77190 | Fr. 77.19 |
| 500 | Fr. 0.61482 | Fr. 307.41 |
| 1’000 | Fr. 0.56431 | Fr. 564.31 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.50020 | Fr. 1’500.60 |
| 6’000 | Fr. 0.46795 | Fr. 2’807.70 |
| 9’000 | Fr. 0.45153 | Fr. 4’063.77 |
| 15’000 | Fr. 0.44773 | Fr. 6’715.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.78000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.92418 |
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