


SQJ260EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ260EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ260EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ260EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ260EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 20 A (Tc), 54 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ260EP-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V, 40nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF a 25V, 2500pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 27W (Tc), 48W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc), 54 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 6A, 10V, 8,5mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.69000 | Fr. 1.69 |
| 10 | Fr. 1.08000 | Fr. 10.80 |
| 100 | Fr. 0.72970 | Fr. 72.97 |
| 500 | Fr. 0.57984 | Fr. 289.92 |
| 1’000 | Fr. 0.53166 | Fr. 531.66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.47050 | Fr. 1’411.50 |
| 6’000 | Fr. 0.43973 | Fr. 2’638.38 |
| 9’000 | Fr. 0.42406 | Fr. 3’816.54 |
| 15’000 | Fr. 0.41706 | Fr. 6’255.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.69000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.82689 |

