
SQJ262EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ262EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 15 A (Tc), 40 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ262EP-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 10V, 23nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550pF a 25V, 1260pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 27W (Tc), 48W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Tc), 40 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
RDSon (max) a Id, Vgs 35,5mohm a 2A, 10V, 15,5mohm a 5A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.59000 | Fr. 1.59 |
| 10 | Fr. 1.01000 | Fr. 10.10 |
| 100 | Fr. 0.68030 | Fr. 68.03 |
| 500 | Fr. 0.53908 | Fr. 269.54 |
| 1’000 | Fr. 0.49365 | Fr. 493.65 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.43598 | Fr. 1’307.94 |
| 6’000 | Fr. 0.40696 | Fr. 2’441.76 |
| 9’000 | Fr. 0.39218 | Fr. 3’529.62 |
| 15’000 | Fr. 0.38171 | Fr. 5’725.65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.71879 |

