Name: SQJ401EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ401EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.75655 CHF
Availability: InStock

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SQJ401EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ401EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ401EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ401EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ401EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 164 nC @ 4.5 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10015 pF @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 32 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 15A, 4,5V	Codice componente base SQJ401
Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.76572	Fr. 2’297.16
6’000	Fr. 0.73031	Fr. 4’381.86

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.75655

SQJ401EP-T1_GE3