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SQJ409EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ409EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ409EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ409EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ409EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 60 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ409EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 260 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 14’816
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.70000 | Fr. 1.70 |
| 10 | Fr. 1.08400 | Fr. 10.84 |
| 100 | Fr. 0.73300 | Fr. 73.30 |
| 500 | Fr. 0.58262 | Fr. 291.31 |
| 1’000 | Fr. 0.53426 | Fr. 534.26 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.47286 | Fr. 1’418.58 |
| 6’000 | Fr. 0.44197 | Fr. 2’651.82 |
| 9’000 | Fr. 0.42624 | Fr. 3’836.16 |
| 15’000 | Fr. 0.41949 | Fr. 6’292.35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.83770 |
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