SQJA72EP-T1_GE3
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SQJ412EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ412EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ412EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJ412EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJ412EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ412EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
32 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,1mohm a 10,3A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5950 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SQJ412
Product Questions and Answers

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In magazzino: 28’293
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.21000Fr. 2.21
10Fr. 1.64000Fr. 16.40
100Fr. 1.13940Fr. 113.94
500Fr. 0.96340Fr. 481.70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.78710Fr. 2’361.30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.38901