Name: SQJ414EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ414EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQJ414EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ414EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ414EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ414EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ414EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ414EP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1110 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base SQJ414
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQJ414EP-T1_BE3	Vishay Siliconix	2’884	742-SQJ414EP-T1_BE3CT-ND	Fr. 1.11000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.11000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.19991

SQJ414EP-T1_GE3