
SQJ422EP-T1_BE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ422EP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ422EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ422EP-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 75 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ422EP-T1_BE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,4mohm a 18A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5000 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.52000 | Fr. 1.52 |
10 | Fr. 1.15000 | Fr. 11.50 |
100 | Fr. 0.78550 | Fr. 78.55 |
500 | Fr. 0.62722 | Fr. 313.61 |
1’000 | Fr. 0.60588 | Fr. 605.88 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.49500 | Fr. 1’485.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.52000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.64312 |