Name: SQJ422EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ422EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.17281 CHF
Availability: InStock

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SQJ422EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ422EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ422EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ422EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ422EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 74 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ422EP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5000 pF @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 74 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 18A, 10V	Codice componente base SQJ422
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQJ422EP-T1_BE3	Vishay Siliconix	8’530	742-SQJ422EP-T1_BE3CT-ND	Fr. 1.88000	Diretto

In magazzino: 1’629

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.17281

SQJ422EP-T1_GE3