Name: SQJ457EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ457EP-T1_BE3TR-ND
Price: 1.35125 CHF
Availability: InStock

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SQJ457EP-T1_BE3
Codice DigiKey	742-SQJ457EP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ457EP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ457EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ457EP-T1_BE3
Descrizione	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 36 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ457EP-T1_BE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)