
SQJ465EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ465EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ465EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ465EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 8 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ465EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 85mohm a 3,5A, 10V, 1,17mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1140 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
| 10 | Fr. 0.95600 | Fr. 9.56 |
| 100 | Fr. 0.64380 | Fr. 64.38 |
| 500 | Fr. 0.50980 | Fr. 254.90 |
| 1’000 | Fr. 0.47124 | Fr. 471.24 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.41201 | Fr. 1’236.03 |
| 6’000 | Fr. 0.38500 | Fr. 2’310.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.57826 |






