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SQJ479EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ479EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ479EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ479EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ479EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 32 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ479EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 24’223
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.47000 | Fr. 1.47 |
| 10 | Fr. 0.93800 | Fr. 9.38 |
| 100 | Fr. 0.62930 | Fr. 62.93 |
| 500 | Fr. 0.49708 | Fr. 248.54 |
| 1’000 | Fr. 0.45454 | Fr. 454.54 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.40053 | Fr. 1’201.59 |
| 6’000 | Fr. 0.37335 | Fr. 2’240.10 |
| 9’000 | Fr. 0.35951 | Fr. 3’235.59 |
| 15’000 | Fr. 0.34578 | Fr. 5’186.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.47000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.58907 |
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